對于芯片尺寸較小的情況，可將芯片放置在chippad偏向第二焊點(diǎn)的一側，芯片尺寸長(cháng)度為0.5mm*O.對于5mm左右的產(chǎn)品，在貼片過(guò)程中將芯片貼到chippad中心，偏向第二焊點(diǎn)一側約0.3-0.4mm?？s短線(xiàn)弧線(xiàn)程可以在很大程度上解決線(xiàn)弧過(guò)長(cháng)導致弧高不穩定的問(wèn)題。同時(shí)，還可以在一定程度上增加金絲與chippad邊緣的垂直距離，避免金絲與chippad邊緣接觸導致模塊失效。

對于芯片尺寸過(guò)大的情況，有兩種解決方案。一個(gè)是專(zhuān)門(mén)為這個(gè)芯片設計開(kāi)發(fā)匹配的基材，但是這個(gè)方案價(jià)格昂貴，周期長(cháng)，對于常規的小批量應用是不可行的。另一種方案需要在貼片工藝中使用膠水(Die，attachadhesive)上調整。膠中間隔顆粒的直徑直接控制著(zhù)膠層的厚度。傳統使用的間隔粒子直徑為lo-15um，用直徑為25-45um的間隔粒子代替|，可將膠層厚度提高1o-20um，從而在很大程度上避免芯片接觸基材，從而避免模塊故障。

對于第二焊點(diǎn)的牢固度不穩定，容易斷裂，使用的金絲和基材不能改變，只能從使用的焊接工藝中進(jìn)行優(yōu)化。為了避免類(lèi)似情況的發(fā)生，可以用金線(xiàn)連接芯片☆在焊接點(diǎn)之前，先焊接基材的第二個(gè)焊點(diǎn)，然后切斷，然后開(kāi)始常規的焊接芯片上的焊點(diǎn)，然后焊接基材上的第二個(gè)焊點(diǎn)?；暮徒鸾z可以通過(guò)這種方法燒制金球(FreeAirBaH，1FAB)之間的接觸面積擴大，金絲與基材之間的鍵和更充分地實(shí)現。當第二個(gè)焊點(diǎn)再次焊接時(shí)，金絲與基材上金球之間的分子鍵和，在很大程度上避免了內部融合不良，導致虛擬斷裂。使用此方案的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是增加金絲與chippad之間的垂直距離(可增加15-20tua)，可以更好地避免金絲與chippad邊緣接觸導致后道工序加工過(guò)程中模塊功能失效。